WS2の小説

Scientific Reports volume 13、記事番号: 7762 (2023) この記事を引用

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1 オルトメトリック

メトリクスの詳細

グラフェン量子ドットで担持された新しい二硫化タングステン-モリブデン銅酸化物複合体(WM@GQD)が、色素増感太陽電池(DSSC)の対極(CE)として、簡単で低コストの超音波処理法を使用して合成されました。 WM@GQD のユニークな構造は、その高い触媒活性と電荷輸送特性により、優れた電力変換効率を示します。 さらに、グラフェン量子ドット (GQD) は、I/I3- 酸化還元反応のための 0 次元材料内により多くの活性サイトを提供し、複合材料の電気的および光学的特性を向上させることができます。 この結果は、複合材料中の GQD の量が太陽光発電デバイスの効率に影響を与えることを示しています。 0.9重量%のGQDを使用した場合、WM@GQD複合材料は10.38%の効率を達成しました。これは、同じ条件下で高価な白金CEよりも高い効率です。 複合サンプルの電力変換効率 (PCE) の向上の背後にあるメカニズムについても詳細に説明します。 したがって、WM@GQD は、CE として DSSC のプラチナを置き換える効率的な材料となり得ます。

毎年の人口増加と持続的な経済成長の影響により、化石燃料の不足が差し迫り、世界の人々は再生可能エネルギーの重要性を認識するようになりました。 さまざまな再生可能エネルギーの中でも、太陽エネルギーは無限に利用できる持続可能な自然エネルギーです。 一般に、シリコンベースの太陽電池技術は今後も世界市場を支配し続けるでしょうが、研究者らは産業部門のエネルギー需要を満たし、世界の人口が太陽エネルギーにアクセスできるように生産コストを削減するための代替ソリューションを模索しています1。 そのような解決策の 1 つが色素増感太陽電池 (DSSC) です。DSSC は、低コストでシンプルで環境に優しい製造方法を備えた第 3 世代の電池です 2,3。 DSSC は、光陽極 (色素を吸着させるための高い比表面積を持つ半導体)、対電極 (通常は白金を含む FTO の形)、および電極間空間の電解質 (酸化還元メディエーターを含む有機溶媒で作られています) で構成されています。 )4. 一般に、DSSC の動作原理は、色素分子が光子を吸収した後、基底状態から励起状態に励起されるというものです。 次に、電子が半導体の伝導帯 (CB) に注入され、外部回路を通って対電極に輸送されます。 酸化された染料は酸化還元メディエーターによって再生され、作用電極から供与された電子によって酸化還元種が還元されます。 その後、サイクルが終了し、照明が発生するまで繰り返されます5。

前述したように、対電極 (CE) は DSSC が適切に機能するために不可欠です。 プラチナ（Pt）は、その優れた電極触媒性能と高い導電性により、DSSC で最も広く使用されている CE であり、光電変換の高効率につながります6。 ただし、Pt は貴金属であり、その安定性が不十分なため、時間の経過とともに電解液と反応する可能性があります7。 さらに、コストが高いため、家庭用および産業用の DSSC の大規模生産が制限されます。 したがって、研究者はPtに代わる代替材料を緊急に探しています。 炭素系材料 8、有機ポリマー 9、遷移金属ジカルコゲニド 10、酸化物系材料 11、硫化物系材料 12 など、さまざまな種類の材料が研究されており、その優れた電気化学的特性により優れた電力変換が示されています。

グラフェン量子ドット (GQD) は、主にナノメートルサイズのグラフェン シートの sp2 混成原子で構成され、ゼロ次元の特性を与える、有望な炭素ベースの量子ドット材料です 13。 GQD は、化学的不活性、生体適合性、安定したフォトルミネッセンス特性、低抵抗、優れた酸化還元可逆性など、いくつかの望ましい特性を備えています。 2013 年に、Chen ら 14 は、対電極として GQD をドープしたポリピロール (PPy) を合成しました。 GQD ドープ PPy 膜は高度に多孔質な構造を持ち、I3-/I- 酸化還元反応に対して PPy 単独よりも高い触媒電流密度と低い電荷移動抵抗を示します。 10% の GQD をドープした PPy を含む DSSC は、最も高い電力変換効率 (5.27%) を示しました。これは、Pt 対電極ベースの DSSC よりも高いです。

最近、MoS2、TiS2、WS2、MoSe2 などの 2D 層状遷移金属ジカルコゲニド (TMD) が、低コスト、環境に優しい製造、簡単なプロセス、高い電極触媒活性、および高い電極触媒活性により、DSSC の潜在的な対電極 (CE) として考慮されています。化学的安定性15、16。 これらの中でも、WS2 は、表面積が大きく、表面の活性点の数を増やし、太陽電池用途での活性を向上させることができる薄いナノシートであるため、特に注目されています。 2018 年に Yuan ら 17 は、DSSC の CE として、簡単で経済的な水熱法によって MoSe2 ナノフラワーを調製しました。 彼らは、MoSe2 CE で組み立てられた DSSC は、その豊富な活性点と安定した化学的特性により、標準 Pt と比較して I3- 還元に関して高い電力変換効率 (PCE = 7.01%) を達成したと報告しました。 しかし、TMD の導電率を高めるために、ポリマーをドーピングしたり、炭素系化合物やその他の化合物と複合材料を作成したりするなど、さまざまな方法が使用されてきました。 2021 年に、Silambarasan ら 18 は、DSSC の対極として使用するための 2 段階の水熱法により、還元酸化グラフェン (rGO) 上に固定された MoS2 および N ドープグラフェン量子ドットを製造しました。 N-GQD@MoS2@rGO は 4.65% の光起電力変換効率 (η) を示しました。 これは、rGO と MoS2 の電気化学的活性点と電気伝導率の増加に起因する、材料の優れた触媒特性によるものです。 さらに、2D カーボン材料は、MoS2 の凝集を軽減し、電気化学的活性サイトを強化するプラットフォームとして機能します。

この研究では、色素増感太陽電池 (DSSC) の対電極 (CE) として使用するために、水熱法によってグラフェン量子ドットで担持された新しい WS2-MoCuO3 複合材料 (WM@GQD) を合成しました。 これらのナノ複合材料は、XPS、ラマン、XRD、FESEM、HRTEM 分析、EIS などの技術を使用して、形態学的および電気化学的特性の観点から特性評価されました。 WM@GQD 複合材料内の GQD の重量パーセントを最適化し、その結果得られる電力変換効率 (PCE) を調査しました。 1.5% WM@GQD 複合材料は 10.00% の PCE を達成しました。これは、複合材料中に GQD が存在するため、Pt 標準 (7.00%) の PCE に匹敵します。これにより、電気活性層を介した電荷移動プロセスの速度が増加します。 WM@GQDs コンポジット内。 我々は、WM@GQD 複合材料が DSSC の有望な代替 CE 材料となり得ることを提案します。

グラファイト粉末 (325 メッシュ) は Sigma-Aldrich から購入しました。 この研究で使用した化学薬品はすべて市販されています。過硫酸アンモニウム ([NH4]2S2O8)、臭化カリウム (KBr、≧ 99%)、およびアセトニトリル (C2H3N、98%、Sigma-Aldrich) を試薬として使用しました。 塩化白金酸六水和物 (H2PtCl6 × 6H2O) および水素化ホウ素ナトリウム (NaBH4) は Sigma-Aldrich から購入しました。 すべての化学物質はさらに精製せずに使用しました (すべての化学物質の精製率は 99.0%)。

酸化グラフェンはハマー法により合成した。 グラファイト粉末（１０ｇ）を、氷浴中で連続的に磁気撹拌しながら４５ｍＬの濃硫酸（Ｈ ２ ＳＯ ４ ）に加えた。 １５分間混合した後、２．２５ｇのＫＭｎＯ ４ を溶液に添加した。 次に、混合溶液を 2 ～ 3 時間撹拌しながら 50 ～ 60 °C に加熱します。 混合物を室温で３０分間超音波浴に置き、撹拌しながら過酸化水素（Ｈ ２ Ｏ ２ ）をゆっくりと加えた。 このステップでは強い発熱反応が生じ、混合物が激しく泡立ちます。 ２時間撹拌した後、混合物を脱イオン水で洗浄して、過剰な酸、硝酸イオン、および硫酸イオンを除去する。 得られた酸化黒鉛を真空乾燥して粉末状の物質を得る。

グラフェン量子ドット (GQD) の一般的な調製プロセスは次のとおりです。500 mg の酸化グラフェン (GO) と 100 μL のジメチルホルムアミド (DMF) を、激しく撹拌しながら 10.0 mL の脱イオン水に溶解しました。 次いで、混合物を３ｍＬのアンモニアと混合し、２０分間超音波処理した。 その後、混合物をテフロンで裏打ちされたオートクレーブに移し、140℃で48時間加熱しました。

MoCuO3 ナノワイヤーは水熱法によって合成されました。 1.5 gのモリブデン酸アンモニウムおよび1.0 gの酸化銅(II)を脱イオン(DI)水に溶解し、5 mLのHNO3を溶液に添加した。 10分間撹拌した後、溶液を100 mLのテフロンで裏打ちされたステンレス鋼オートクレーブに移し、密封し、180℃で12時間加熱した空気乾燥オーブンに入れました。 最終生成物を廃液が中性になるまで脱イオン水でリンスし、沈殿物を真空乾燥させた。

次に、WS2 粉末、MoCuO3、および GQD を脱イオン水に分散し、30 分間撹拌し、1 時間超音波処理しました。 次いで、均一な混合物を１００ｍＬのテフロンで裏打ちされたステンレス鋼オートクレーブに移し、４０００ｒｐｍで遠心分離し、ＤＩアセトンで洗浄し、さらなる使用のために乾燥させた。 ＷＭ＠ＧＱＤ中の４つの濃度のＧＱＤ、すなわち、０．３重量％のＧＱＤ、０．６重量％のＧＱＤ、および０．９重量％のＧＱＤを、同じ手順を使用して調製した。 図 1 は、WM@GQD ナノ複合材料の合成方法を示しています。

WS2/MoCuO3@グラフェン量子ドット CE (WM@GQDs) の作製方法を表す概略図。

通常、サンドイッチ型太陽電池デバイスの設計にはフッ素ドープ酸化錫（FTO）ガラス基板が使用され、光電極と対向電極の両方の成膜にはドクターブレード法が使用されます20。 まず、0.5 g の WM@GQD を 5 mL のエタノールに分散し、乳鉢と乳棒を使用して 30 分間よく粉砕します。 各対極のスラリーを FTO 基板上にコーティングし、80 °C で乾燥させた後、400 °C で 2 時間アニールします。 同じ製造方法に従って、他のすべての光陽極 (TiO2、市販の P25) を製造します。 N719 色素溶液を TiO2 PE 電極に 24 時間浸漬し、400 °C で 2 時間アニールします。 最後に、電解質溶液 (I-/I3-) を 2 つの電極間の穴の 1 つから滴下し、蒸発を防ぐためにシリコン スティックで密封します。

合成されたナノ複合材料の結晶特性は、X 線回折計 (SmartLab、リガク) を使用して、Cu Kα 放射線下で研究されました。 合成されたナノ複合材料の形態は、電界放射型走査型電子顕微鏡 (FESEM: Thermo Fisher Scientific、Apero2) および透過型電子顕微鏡 (TEM、日本電子 JEM-2100) を使用して調査されました。 表面元素組成と酸化状態は、タイのシンクロトロン光研究所（SLRI）で X 線光電子分光法（XPS; PHI5000 VersaProbe II ULVAC-PHI、日本）を使用して分析されました。 ラマンスペクトルは、顕微鏡ラマン分光計(NRS-7100、JASCO)を使用して記録した。 作製した光起電力デバイスの電流 - 電圧 (I - V) 特性は、クラス A ソーラー シミュレーター ワークステーション (SL-50A-WS、SCIENCE TECH) を使用して、AM1.5 (太陽光 100 mW/cm2) で研究されました。 電気化学インピーダンス分光法 (EIS) 測定の場合、電解質溶液はアセトニトリル中の 0.05 M I2 と 0.5 M LiI で構成されていました。 ナイキストプロットは、物質輸送の制限された領域を打ち消すために、0.1 Hz ～ 100 kHz の周波数範囲にわたって記録され、250 mV で測定されました。

図2に示すように、合成されたGQD、WS2、およびWM@GQDの結晶特性をXRD分析技術を使用して研究しました。GQDについて記録されたパターンの分析により、2θの回折ピークから明らかな非晶質構造が明らかになりました。 = 25.8°、これは GQD の sp2 混成炭素原子の (002) 面に対応します 21。 さらに、25.7°、42.9°、44.7°、および 54.9°の回折ピークは、それぞれ (004)、(103)、(006)、(106)、および (008) 面に対応し、次のようにインデックス付けされました。 WS2 のヘキサゴナル相 (JCPDS FILE: 87–2417 および 84–139​​8)22。 WM@GQD に対応するパターンは、12.5°、32.5°、38.3°、および 50.1° にピークを示し、それぞれ (020)、(110)、(022)、および (-202) 面に対応します。 ＸＲＤ分析により、ＷＭ＠ＧＱＤ複合材料が形成されたことが確認された。

(a) GQD、(b) WS2、および (c) WM@GQD について記録された XRD パターン。

図3a〜cに示すように、FESEMイメージング技術を使用して、GQD、WS2、およびWM@GQDの表面形態を調査しました。 図 3a は、平均サイズが約 10 nm の、調製された GQD の単分散で均一な球状構造を示しています。 さらに、図3bは、表面にフレーク状のWS2ナノシートが存在することを明確に示しています。 WM@GQD のサイズは、GQD が埋め込まれた WS2-MoCuO3 システムでは 2 ～ 10 nm の範囲でした。 WS2 の微細構造は、高解像度 TEM 技術を使用して調査されました。結果は図 3d–f に示されています。 図 3d は、GQD の HRTEM 画像を示しています。これは、積層されたナノシートの形成を明確に示しています。 図3eに示すように、WS2ナノシートは、より大きなクラスターに凝集することも観察されました。 高解像度 TEM 画像は、複合材料に埋め込まれた WS2、GQD、MoCuO3 の極薄シートの形成を確認します。

(a、d) GQD、(b、e) WS2、および (c、f) WM@GQD の SEM および TEM 画像。

FTIR およびラマン分光法を使用して、複合材料の構造と組成を特徴付けました。 図 4a は、GQD、WS2、および WM@GQD について記録された FTIR スペクトル プロファイルを示しています。 GQD について記録されたプロファイルには、材料のグラフェン様構造を確認するバンドが存在します (C=C バックボーン振動は 1921 cm-1 に現れ、酸素含有基 (O-H など) の存在は次のように表されます)。 3182 cm-1 の伸縮振動、2178 cm-1 の C=O 伸縮振動、純粋な WS2 について記録されたプロファイルは、620 cm-1 および 875 ～ 1051 cm-1 にわたる領域に 3 つの特徴的な吸収ピークを示します。これらのピークは、WS223,24 の W-S および S-S 結合に起因すると考えられ、さらに、MoCuO3 について記録されたスペクトル プロファイルから、約 1110 cm-1 に Mo-O 伸縮振動が存在することが明らかになりました。 −1 は MoCuO3 格子内の O 原子の振動に関連しており、WM@GQD で記録されたスペクトル プロファイルでは、両方の成分に特徴的な信号が明確に観察されました。

(a) GQD、(b) WS2、および (c) WM@GQD について記録された FTIR プロファイル。

材料の構造と相互作用特性を研究するために、WS2およびWM@GQDのラマンスペクトルを図5a、bに示します。 図 5a (青線) は単一ドメイン WS2 単層を表し、1351.76、1577.31、2716.15、および 32,381.12 cm-1 に 3 つの主要なピークを示します。 結果は、報告されている WS2 のラマン活性モードと一致しました。 3 つのピークは、WS2 の点 M、E'2 g、および A1 g における 2 つの二次縦音響 (LA) ラマン モードにそれぞれ対応しました 25。 963.72 cm-1のピークは、図5bに示すように、E12 gの一次ピークを表しました。 さらに、複合構造を確認するために、WM@GQDの拡大されたピークが挿入図に示されています（図5c）。 GQD について記録されたスペクトル プロファイルには 2 つの強いピークが存在しました (青線)。 1601 cm-1 の G バンドは sp2 炭素原子 (C-C 結合) の規則正しい平面構造を示し、1360 cm-1 の D バンドは sp3 構造欠陥 (エッジや官能基など) に対応します。 D バンドと G バンドのピーク強度のバンド比 (ID/IG = 1.07) は、構造内の C=C 結合に関連した GQD の端の官能基の関与を反映することができます。

(a) WS2 および (b) WM@GQD について記録されたラマン プロファイル。

図6a〜eに示すように、WM@GQD内の元素の元素組成、価数状態、および酸化状態は、X線光電子分光法（XPS）技術を使用して確認されました。 WM@GQDs 複合材料の XPS 調査スペクトルは、ハイブリッド形式での W 4f、S 2p、Mo 3d、Cu 2p、C 1s、および O 1s の存在を示しています。 調査スペクトルには追加のピークはなく、ハイブリッドに不純物が存在しないことを示しています。 W 4f の高分解能スペクトル (図 6b) は、結合エネルギー約 40.8 eV のピークを示し、WS2 結晶の存在を確認します。 特徴的な 2H 相 (WOx からの寄与は観察できない) の存在が確認されました。 S 2pプロファイル（図6c）は、それぞれ164.3および169.1 eVでのS 2p3/2:2p1/2スピン軌道ダブレットを示し、結晶WS226で予想されるS2-酸化状態に対応します。 さらに、図6dは、Mo 3dスペクトルの232.8および235.7 eVの2つの主ピークを示しており、それぞれMo 3d5/2およびMo 3d3/2に割り当てられます。 C 1sスペクトル（図6e）は、284.8 eVのC – C / C = C、287.1 eVのC – O、および289.3 eVのC = Oに対応する3つのピークを示します27。 O 1s スペクトル（図 6f）は、GQD の C – O、C = O、および –OH に対応する 3 つのサブバンドに分割されます。 XPS 分析により、WM@GQD 複合材料中に結合元素が存在することが確認されました。

XPS プロファイル: (a) サーベイ、(b) W 4f、(c) S 2p、(d) Mo 3d、(e) C 1s、および (f) O 1s プロファイル。

WS2 と WM@GQD 複合材料の影響は、N2 の吸着脱着等温線を分析することによって研究されました。 図 7a、b は、H3 タイプのヒステリシス ループ (IUPAC 分類による) を持つタイプ IV 等温吸着曲線がすべてのサンプルで記録されたことを示しており、すべてのサンプルでメソ多孔質構造が形成されたことを示しています 28。 WM@GQD は、最大比表面積が約 69.40 m2/g であることが特徴で、これは WS2 (25.30 m2/g) よりも大きかった。 図 7 の挿入図の細孔径分布曲線に示されているように、すべてのサンプルの細孔直径は主に 100 ～ 200 nm の範囲内に分布していました。BET の結果によれば、WM@GQD に GQD を組み込むと増加する可能性があります。アクティブ サイトの数。これにより、CE の電力変換効率が向上します。

(a) WS2 および (b) WM@GQD について記録された N2 吸脱着等温線。

GQD、WS2、およびWM@GQDのUV-Visスペクトルを図8aに示します。 半導体の吸収領域は、そのバンド構造に関係します。 バンドギャップエネルギー (Eg) は式 29 から求めることができます。

(a) GQD、WS2、および WM@GQD の UV-Vis プロファイルと (b) バンドギャップ エネルギー。

図8a、bに示すように、それらはすべて可視光領域で最高の光吸収性能を示し、その吸収端は約546 nmにあります。 WS2、GQD、WM@GQD のバンドギャップ エネルギー (Eg) はそれぞれ 2.46 eV、2.15 eV、1.61 eV に相当します。 UV-Vis DRS の結果は、調製した WM@GQD 複合材料がすべて可視光領域で良好な光吸収特性を持っていることを確認しており、これは可視光誘起の触媒活性が効果的に強化される可能性があることを示しています。

図9a、bの電気化学テストは、従来のPt CEと同等の（0.3〜0.9重量％）WM@GQDの電気化学的活性と、開回路電圧（Voc）、フィルファクター（FF）、ショートなどの詳細な太陽光発電パラメータを示しています。回路電流 (Jsc) を表 1 にまとめます。すべての J-V 測定は、クラス AAA ソーラー シミュレータを使用して、AM 1.5G 模擬太陽光の下で実行されました。 J-V 曲線から、0.9%wt WM@GQD が最大 10.38% (Voc = 0.68 V、Jsc = 21.97 mA/cm2、FF = 0.68) までの最高の電力変換効率 (PCE) を示し、次に 0.6%wt WM@ が続きます。 GQD は最大 9.28% (Voc = 0.67 V、Jsc = 20.21 mA/cm2、FF = 0.67) の電力変換効率に達しましたが、0.3%wt WM@GQD は 8.45% (Voc = 0.66 V、Jsc) の電力変換効率を示しました。 = 18.93 mA/cm2、FF = 0.66) Pt 電極 (10.26%) と同等。 より高い開回路電圧は、電子と正孔の再結合を制限するために、回路周囲の電子に対するより高い駆動力を維持するために重要です。 さらに、電力変換効率の向上は、I3- 削減のための WM@GQD の表面積の拡大によるものです30。

WM@GQD の (a) Pt および (b) (0.3 ～ 0.9%wt) の I-V 分析。

対極と電解質の界面における電荷移動抵抗は、EIS 技術によって研究されています。 図 10 と表 1 は、適用周波数範囲 100 MHz と 100 kHz における、対応する (0.3 ～ 0.9%wt) WM@GQD と Pt 電極のナイキスト曲線を表しています。 得られた半円は 2 つあり、最初の半円は FTO から CE 材料への電荷移動を表し、2 番目の半円は電極と電解質または電解質抵抗の電荷移動を示します。 EIS スペクトルから、0.9%wt WM@GQD (35.24 Ω) の電荷移動抵抗は、0.3%wt WM@GQD および 0.6%wt WM@GQD と比較すると低くなります。これは、グラフェンの導電率が高く、導電率が高いためです。触媒活性。

Pt および WM@GQD の (0.3 ～ 0.9%wt) の EIS プロファイル。

DSSC セルにおける WM@GQD の作用機構を図 11 に示します。最初のステップでは、光が光陽極側に当たると (TiO2 が N719 色素を吸収します)、感光性色素分子が太陽光からのエネルギーを吸収します。 これにより、色素分子の自由電子が励起され、最高被占分子軌道 (HOMO) から最低空分子軌道 (LUMO) にジャンプします。 励起された電子は、二酸化チタンの伝導帯である伝導層に注入され、半透明の伝導性ガラスの層に渡されます。 この層には多数の電子が存在し、この層が外部負荷に接続されると、セル内の電子が負荷を通ってカソードに流れる際に、その流れによって電流が生成されます。 この電子の流れは、サイクルが完了するまで継続的に発生します31、32、33。

WM@GQD の光電変換メカニズムの概略図。

グラフェン量子ドットで担持された二硫化タングステン - モリブデン銅酸化物 (WM@GQD) からなる新しいハイブリッド複合材料が、シンプルで低コストの超音波処理法を使用して合成されました。 X 線回折分析、電界放射型走査型電子顕微鏡、BET 分析などの技術を使用して、材料の結晶性と形態を確認しました。 色素増感太陽電池の 0.9% wt WM@GQDs カソードとして使用した場合、この材料の最大電力変換効率 (PCE) は 10.38% で、Pt 電極 (10.26%) よりも高かった。 電気化学インピーダンス分光法により、WM@GQD 材料は他のカソード材料と比較して抵抗が低いことが示されました。 WS2-MoCuO3 と GQD の相互接続により、電極表面での色素吸収を最大化するための高い表面積を提供するハイブリッド複合材料の独特な構造が、その高い PCE に寄与している可能性があります。

現在の研究中に使用および/または分析されたデータセットは、合理的な要求に応じて責任著者から入手できます。

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この研究 (助成金番号 RGNS 64-247) は、高等教育科学研究イノベーション省次官室 (OPS MHESI)、タイ科学研究イノベーション (TSRI)、およびモンクット王工科大学の支援を受けました。ラトクラバン。 著者らは、バンコクのモンクット王工科大学ラカバン校工学部 FE-SEM センターから受けた支援に感謝しています。 著者らは、Asst からのサポートに感謝します。 コンケン大学物理学科で測定値取得プロセスを支援する Pawinee Klangtakai 教授。

モンクット王工科大学ラカバン校工学部産業工学科、バンコク、10520、タイ

ヨンラパッチ アレロブ & チャオワリット ハモンツリー

ハンソ大学先端材料科学工学部、瑞山市、忠清南道、31962、韓国

オ・ウォンチュン

ナノカーボン系材料と環境衛生に関する安徽国際共同研究センター、安徽科学技術大学材料科学工学院、淮南、232001、中華人民共和国

オ・ウォンチュン

コンケン大学理学部物理学科、コンケン、40002、タイ

ティーラヌク・ナチャイトーン

シンクロトロン光研究所（公的機関）、111 University Avenue、Muang District、Nakhon Ratchasima、30000、Thailand

スープはニッパニッチ

ブリーラム・ラチャパット大学理学部化学科、ブリーラム、31000、タイ

コンサック・パタリス

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YA、CH、WCO が研究を計画しました。 YA、CH、WCO、SN、TN がデータを分析しました。 YAとKPが論文を担当しました。

パタリス王への手紙。

著者らは競合する利害関係を宣言していません。

シュプリンガー ネイチャーは、発行された地図および所属機関における管轄権の主張に関して中立を保ちます。

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転載と許可

Areerob, Y.、Oh, WC.、Hamontree, C. 他色素増感太陽電池用途向けの対極としてグラフェン量子ドットでサポートされた WS2-MoCuO3 の新規製品。 Sci Rep 13、7762 (2023)。 https://doi.org/10.1038/s41598-023-34637-3

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受信日: 2023 年 3 月 8 日

受理日: 2023 年 5 月 4 日

公開日: 2023 年 5 月 12 日

DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-023-34637-3

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